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IPL65R650C6SATMA1-HXY
IPL65R650C6SATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。
- 商品型号
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133876
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 147pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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