IPL65R650C6SATMA1-HXY

碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPL65R650C6SATMA1-HXY

商品编号

C53133876

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.22克(g)