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IPL65R650C6SATMA1-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPL65R650C6SATMA1-HXY
商品编号: C53133876
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

参数完善中