- 引脚图
型号：IPL65R650C6SATMA1-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IPL65R650C6SATMA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IPL65R650C6SATMA1-HXY参考售价为4.39元起，现货库存数量0个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
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