STD11N60DM2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD11N60DM2-HXY
商品编号: C53133878
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

该器件采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，具备低导通电阻与高阻断电压、低电容与高速开关、低反向恢复电荷等特性，且符合无卤素与RoHS标准。其优势在于能够降低开关损耗、提升系统开关频率、增加功率密度并减少散热器需求。