STD11N60DM2-HXY

STD11N60DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD11N60DM2-HXY

商品编号

C53133878

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)