温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备355A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为750V，导通电阻低至5mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与优异热导率，在高功率密度和高频开关应用中表现出极低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于对效率、体积和动态响应有严苛要求的电源系统及能量转换装置，其宽栅压范围也增强了与多种驱动电路的兼容性。
- 商品型号
- IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133874
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 355A | |
| 耗散功率(Pd) | 833W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 582nC | |
| 输入电容(Ciss) | 16.854nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 958pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ |
相似推荐
其他推荐
- STL12N65M5-HXY
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- IPD65R420CFDBTMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY
- STD11NM65N-HXY
- STF11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- STF12N65M2-HXY
- AOD7S65
- FL06500A-HXY
- IPD65R600C6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY
- IPD65R660CFDAATMA1-HXY
- IPD65R660CFDATMA1-HXY
- IPD65R660CFDBTMA1-HXY
- MCU655N65FH-HXY
- MSJU07N65A-HXY
- R6507END3TL1-HXY