NTHL040N65S3HF-HXY

NTHL040N65S3HF-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现出色，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与系统可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTHL040N65S3HF-HXY

商品编号

C53133869

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)