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IXTY2N65X2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为1555mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性，适用于中低功率的高频开关应用。其结构支持在高电压环境下稳定运行，同时保持较低的开关损耗，适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。
- 商品型号
- IXTY2N65X2-HXY
- 商品编号
- C53133873
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 37.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.555Ω@18V |
商品特性
- 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHs 标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压 DC/DC 转换器
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