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IMT65R050M2HXUMA1-HXY
IMT65R050M2HXUMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电模块以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子装置。
- 商品型号
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133843
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
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