SPP15N60CFDHKSA1-HXY

SPP15N60CFDHKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统及紧凑型电力转换设备等对性能和空间有较高要求的场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP15N60CFDHKSA1-HXY

商品编号

C53133838

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.19克(g)