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NTMT064N65S3H-HXY
NTMT064N65S3H-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道类型，具有68A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高功率密度电力电子设备中的开关功能。
- 商品型号
- NTMT064N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133841
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
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