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NTMT064N65S3H-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道类型，具有68A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高功率密度电力电子设备中的开关功能。
- 商品型号
- NTMT064N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133841
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@20V |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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