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C3M0045065L-TR-HXY
C3M0045065L-TR-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的漏极电流额定值和650V的漏源耐压，导通电阻为45mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V下可正常工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置中，能够有效支持紧凑型电路设计与高效能量管理。
- 商品型号
- C3M0045065L-TR-HXY
- 商品编号
- C53133848
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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