STL12N65M5-HXY

STL12N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的高频电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于各类高密度、高效率的电力电子应用中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL12N65M5-HXY

商品编号

C53133875

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.22克(g)