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FCH041N65EF-F155-HXY
FCH041N65EF-F155-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。其参数组合适合用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，能够在较高温度环境下维持稳定性能，同时宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性与鲁棒性。
- 商品型号
- FCH041N65EF-F155-HXY
- 商品编号
- C53133860
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.315克(g)
商品参数
参数完善中
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