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IPW65R037C6FKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，宽带隙技术，低导通电阻、电容和反向恢复电荷
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达70A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效电能变换装置中。
- 商品型号
- IPW65R037C6FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133863
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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