IPW65R037C6FKSA1-HXY

IPW65R037C6FKSA1-HXY

描述

该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达70A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效电能变换装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R037C6FKSA1-HXY

商品编号

C53133863

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.335克(g)