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IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。其结构利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，如通信电源、可再生能源并网设备及高密度电力电子模块。
- 商品型号
- IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133865
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.8克(g)
商品参数
参数完善中
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