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IPW65R041CFDFKSA1-HXY
IPW65R041CFDFKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。
- 商品型号
- IPW65R041CFDFKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133866
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.81克(g)
商品参数
参数完善中
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