温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHL040N65S3F-HXY
NTHL040N65S3F-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。其负向栅压容限有助于提升关断可靠性，减少误触发风险。
- 商品型号
- NTHL040N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133868
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- NTHLD040N65S3HF-HXY
- STWA68N65DM6AG-HXY
- STWA75N65DM6-HXY
- IPD65R420CFDBTMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY
- STD11NM65N-HXY
- STF11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- STF12N65M2-HXY
- AOD7S65
- FL06500A-HXY
- IPD65R600C6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY
- IPD65R660CFDAATMA1-HXY
- IPD65R660CFDATMA1-HXY
- IPD65R660CFDBTMA1-HXY
- MCU655N65FH-HXY
- MSJU07N65A-HXY