温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R041CFDFKSA2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于优化开关过程中的动态性能与可靠性。
- 商品型号
- IPW65R041CFDFKSA2-HXY
- 商品编号
- C53133867
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- NTHL040N65S3F-HXY
- NTHLD040N65S3HF-HXY
- STWA68N65DM6AG-HXY
- STWA75N65DM6-HXY
- IXTY2N65X2-HXY
- IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
- STL12N65M5-HXY
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- IPD65R420CFDBTMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY
- STD11NM65N-HXY
- STF11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- STF12N65M2-HXY
- AOD7S65
- FL06500A-HXY
- IPD65R600C6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY