IPW60R045P7XKSA1-HXY

IPW60R045P7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为44mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的功率级设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW60R045P7XKSA1-HXY

商品编号

C53133862

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.29克(g)