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IPW60R045P7XKSA1-HXY
IPW60R045P7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为44mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的功率级设计。
- 商品型号
- IPW60R045P7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133862
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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