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FCH041N65F-F155-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。其电气参数适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度的电力电子应用，宽栅压范围也有助于提升驱动兼容性与电路可靠性。
- 商品型号
- FCH041N65F-F155-HXY
- 商品编号
- C53133861
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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