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FCH041N65F-F155-HXY
FCH041N65F-F155-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。其电气参数适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度的电力电子应用，宽栅压范围也有助于提升驱动兼容性与电路可靠性。
- 商品型号
- FCH041N65F-F155-HXY
- 商品编号
- C53133861
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.305克(g)
商品参数
参数完善中
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