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IMT65R50M2HXUMA1-HXY
IMT65R50M2HXUMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压以及45mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，同时具有良好的热导性能和稳定性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。
- 商品型号
- IMT65R50M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133849
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
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