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G3F45MT06L-TR-HXY
G3F45MT06L-TR-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为45mΩ，可在栅源电压-10V至+25V范围内正常工作。其结构利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类紧凑型电力电子设备。低RDS(on)有助于减少发热，提升长时间运行的稳定性，宽VGS范围则增强了与不同驱动电路的适配能力。
- 商品型号
- G3F45MT06L-TR-HXY
- 商品编号
- C53133845
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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