温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G3F45MT06L-TR-HXY
G3F45MT06L-TR-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为45mΩ，可在栅源电压-10V至+25V范围内正常工作。其结构利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类紧凑型电力电子设备。低RDS(on)有助于减少发热，提升长时间运行的稳定性，宽VGS范围则增强了与不同驱动电路的适配能力。
- 商品型号
- G3F45MT06L-TR-HXY
- 商品编号
- C53133845
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IMT65R060M2HXUMA1-HXY
- SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
- C3M0045065L-TR-HXY
- IMT65R50M2HXUMA1-HXY
- FCH041N65EF-F155-HXY
- FCH041N65F-F155-HXY
- IPW60R045P7XKSA1-HXY
- IPW65R037C6FKSA1-HXY
- IPW65R040CM8XKSA1-HXY
- IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA2-HXY
- NTHL040N65S3F-HXY
- NTHLD040N65S3HF-HXY
- STWA68N65DM6AG-HXY
- STWA75N65DM6-HXY
- IXTY2N65X2-HXY
- IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
- STL12N65M5-HXY
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- IPD65R420CFDBTMA1-HXY