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SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能和开关特性，适用于高效率、高频率的电力转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对功率密度和热管理有较高要求的电源拓扑结构中。
- 商品型号
- SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133847
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
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