IMT65R060M2HXUMA1-HXY

IMT65R060M2HXUMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其低RDS(on)有助于降低功耗，提升能效，而宽VGS范围则增强了与多种驱动方案的兼容性，适合用于对可靠性和紧凑性有较高要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMT65R060M2HXUMA1-HXY

商品编号

C53133846

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)