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SCTL35N65G2V-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为68A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与快速开关能力，在高频运行条件下仍能保持良好效率。适用于对转换效率和热性能要求较高的电源系统，如高密度开关电源、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的功率管理模块。
- 商品型号
- SCTL35N65G2V-HXY
- 商品编号
- C53133842
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻，高阻断电压
- 低电容，高速开关
- 低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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