IPA65R310CFDXKSA2-HXY

IPA65R310CFDXKSA2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定开关。凭借碳化硅材料的特性，其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热性能，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率管理环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R310CFDXKSA2-HXY

商品编号

C53133820

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.92克(g)