温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPL65R310E6AUMA1-HXY
IPL65R310E6AUMA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133818
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- IPA65R310CFDXKSA1-HXY
- IXFP12N65X2M-HXY
- SPA15N60CFDXKSA1-HXY
- STP20NM65N-HXY
- STP19NM65N-HXY
- IPP60R280CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R280E6XKSA1-HXY
- SPP15N65C3XKSA1-HXY
- SPP15N60C3XKSA1-HXY
- SPP15N65C3HKSA1-HXY
- STP20NM60A-HXY
- AOT15S65L
- IPP65R310CFDXKSA2-HXY
- IPP65R310CFDAAKSA1-HXY
- IPP65R310CFDXKSA1-HXY
- R6515KNX3C16-HXY
- STP18N65M2-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- UF3SC065040D8S-HXY