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IPL65R310E6AUMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133818
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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