SPA15N65C3XKSA1-HXY

SPA15N65C3XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为9A，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPA15N65C3XKSA1-HXY

商品编号

C53133819

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.95克(g)