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SPA15N65C3XKSA1-HXY
SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为9A，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。
- 商品型号
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133819
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽禁带碳化硅 MOSFET 技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 低电容实现高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压 DC/DC 转换器
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