IXFP12N65X2M-HXY

IXFP12N65X2M-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFP12N65X2M-HXY

商品编号

C53133822

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)