温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在复杂电气环境中稳定运行。
- 商品型号
- IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133839
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ |
相似推荐
其他推荐
- UF3SC065040D8S-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- SCTL35N65G2V-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTBL050N65S3H-HXY
- G3F45MT06L-TR-HXY
- IMT65R060M2HXUMA1-HXY
- SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
- C3M0045065L-TR-HXY
- IMT65R50M2HXUMA1-HXY
- FCH041N65EF-F155-HXY
- FCH041N65F-F155-HXY
- IPW60R045P7XKSA1-HXY
- IPW65R037C6FKSA1-HXY
- IPW65R040CM8XKSA1-HXY
- IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA2-HXY
- NTHL040N65S3F-HXY
- NTHLD040N65S3HF-HXY
- STWA68N65DM6AG-HXY