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IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在复杂电气环境中稳定运行。
- 商品型号
- IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133839
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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