IPA65R310CFDXKSA1-HXY

IPA65R310CFDXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频、高温环境下仍能维持稳定性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统及可再生能源相关设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R310CFDXKSA1-HXY

商品编号

C53133821

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)