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IPA65R310CFDXKSA1-HXY
IPA65R310CFDXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频、高温环境下仍能维持稳定性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统及可再生能源相关设备。
- 商品型号
- IPA65R310CFDXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133821
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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