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IXFH90N65X3-HXY
IXFH90N65X3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，适合用于高频率、高效率的电力电子应用场合。
- 商品型号
- IXFH90N65X3-HXY
- 商品编号
- C53133796
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
参数完善中
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