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IXFH90N65X3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，适合用于高频率、高效率的电力电子应用场合。
- 商品型号
- IXFH90N65X3-HXY
- 商品编号
- C53133796
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 低电容实现高速开关
- 低反向恢复电荷
- 符合无卤素与RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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