STP5NK65ZFP-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效，适合用于高频、高效率的电源转换架构中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP5NK65ZFP-HXY

商品编号

C53133815

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

3.21克(g)