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STP5NK65ZFP-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效，适合用于高频、高效率的电源转换架构中。
- 商品型号
- STP5NK65ZFP-HXY
- 商品编号
- C53133815
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 25.86W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 37.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ |
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