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STL16N65M5-HXY
STL16N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为14A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关电源等应用中表现突出。其电气参数组合支持在紧凑型设计中实现良好的热性能与能效平衡。
- 商品型号
- STL16N65M5-HXY
- 商品编号
- C53133817
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
参数完善中
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