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SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高电压条件下实现低导通损耗与快速开关特性，同时具备良好的高温稳定性。其N沟道结构与宽栅压范围适配多种驱动方案，适用于对转换效率、热管理和开关频率有较高要求的电源系统。
- 商品型号
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133816
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
参数完善中
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