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SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高电压条件下实现低导通损耗与快速开关特性，同时具备良好的高温稳定性。其N沟道结构与宽栅压范围适配多种驱动方案，适用于对转换效率、热管理和开关频率有较高要求的电源系统。
- 商品型号
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133816
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽带隙碳化硅 MOSFET 技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 低电容实现高速开关
- 反向恢复电荷低
- 无卤素，符合 RoHs 标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源系统
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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