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UJ3C065030K3S-HXY
UJ3C065030K3S-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体可靠性与紧凑性。
- 商品型号
- UJ3C065030K3S-HXY
- 商品编号
- C53133803
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.18克(g)
商品参数
参数完善中
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