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UJ3C065030K3S-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体可靠性与紧凑性。
- 商品型号
- UJ3C065030K3S-HXY
- 商品编号
- C53133803
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复(Qrr)
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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