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AMR027V065H2-HXY
AMR027V065H2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，栅源驱动电压（VGS）范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍能维持较低的导通损耗和优异的开关性能，适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备等场景，满足对紧凑布局与热管理有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- AMR027V065H2-HXY
- 商品编号
- C53133810
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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