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UF3C065030K4S-HXY
UF3C065030K4S-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统在复杂电气环境下的稳定运行能力。
- 商品型号
- UF3C065030K4S-HXY
- 商品编号
- C53133813
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.46克(g)
商品参数
参数完善中
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