温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSJUFR05N65-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复等特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为4.2A，最大漏源电压达650V，导通电阻为1555mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，在高电压应用中展现出良好的耐压能力和热稳定性。其相对较高的导通电阻适用于对开关速度和损耗要求适中的场合，适合用于中小功率的电源管理、适配器及高效率转换模块等场景，能够在有限空间内实现可靠的功率控制。
- 商品型号
- MSJUFR05N65-HXY
- 商品编号
- C53133814
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 37.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- STL16N65M5-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- IPA65R310CFDXKSA1-HXY
- IXFP12N65X2M-HXY
- SPA15N60CFDXKSA1-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- IMBG65R260M1HXTMA1-HXY
- UF3SC065040D8S-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- SCTL35N65G2V-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTBL050N65S3H-HXY
- G3F45MT06L-TR-HXY
- IMT65R060M2HXUMA1-HXY
- SIHK050N65E-T1-GE3-HXY
- C3M0045065L-TR-HXY
- IMT65R50M2HXUMA1-HXY