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STW88N65M5-4-HXY
STW88N65M5-4-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，在高电压、大电流应用场景中展现出良好的动态响应与可靠性。
- 商品型号
- STW88N65M5-4-HXY
- 商品编号
- C53133805
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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