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C3M0025065K-HXY
C3M0025065K-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料的高热导率与高临界电场特性，在高频、高功率密度的电力转换系统中可实现低开关损耗与高效率运行，适用于对动态响应和能效要求严苛的电源管理、储能变换及高频逆变等应用场景。
- 商品型号
- C3M0025065K-HXY
- 商品编号
- C53133809
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.06克(g)
商品参数
参数完善中
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