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IXSH100N65L2KHV-HXY
IXSH100N65L2KHV-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与低导通损耗特性，器件在高频开关应用中表现出色，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备，能够在提升系统响应速度的同时有效控制温升与能量损耗。
- 商品型号
- IXSH100N65L2KHV-HXY
- 商品编号
- C53133808
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.06克(g)
商品参数
参数完善中
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