IMZA65R033M2HXKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高功率条件下仍能维持稳定电气特性，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMZA65R033M2HXKSA1-HXY

商品编号

C53133806

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

9.46克(g)