SICW025N065H4-BP-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压和大电流条件下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，适用于对效率、热管理和功率密度有较高要求的电源转换及高频电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICW025N065H4-BP-HXY

商品编号

C53133807

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)