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IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率优势，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，低导通电阻有助于降低传导损耗，从而支持更紧凑、高效的电力转换架构。
- 商品型号
- IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133804
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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