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IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率优势，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，低导通电阻有助于降低传导损耗，从而支持更紧凑、高效的电力转换架构。
- 商品型号
- IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133804
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.88克(g)
商品参数
参数完善中
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