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IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。
- 商品型号
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133795
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.01克(g)
商品参数
参数完善中
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