温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。
- 商品型号
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133795
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHs 标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压 DC/DC 转换器
- UJ3C065030K3S-HXY
- MSJUFR05N65-HXY
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTHL040N65S3HF-HXY
- IXTY2N65X2-HXY
- IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY
- STD11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- AOD7S65
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY
- UJ3C065030K3S-HXY
- MSJUFR05N65-HXY
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTHL040N65S3HF-HXY
- IXTY2N65X2-HXY
- IMZA65R007M2HXKSA1-HXY
- IPL65R650C6SATMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY
- STD11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- AOD7S65
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY