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PESD3V3Z1BSFYL-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PESD3V3Z1BSFYL-JSM

采用Snap-Back技术的高速数据线ESD保护二极管，具有低钳位电压、低漏电流和超低电容特性

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描述
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：5.3V 峰值脉冲电流(Ipp)：9.5A@8/20us 击穿电压：6.9V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD3V3Z1BSFYL-JSM
商品编号
C53114082
商品封装
DFN0603-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.00851克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性-
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压8V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)40W@8/20us
击穿电压(VBR)6.8V
属性参数值
反向电流(Ir)10nA
通道数-
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.25pF

商品特性

  • 40瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
  • 回滞技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • 超低电容（典型值0.25皮法）
  • 高速数据线的ESD保护
  • IEC 61000 - 4 - 2标准：±10千伏接触放电、±12千伏空气放电
  • IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）：40安（5/50纳秒）
  • IEC 61000 - 4 - 5（雷击浪涌）：5安（8/20微秒）
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • USB 3.0、USB 2.0、MHL
  • HDMI 2.0、Display Port 1.3、eSATA
  • 统一显示接口（UDI）
  • 数字视频接口（DVI）
  • 1G/2.5G/5G/10G以太网

数据手册PDF

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