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PESD5V0X1BL,315-JSM
ESD保护二极管，采用DFN1006封装，双向配置，固态硅雪崩技术，低钳位电压和低漏电流
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- 描述
- 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：15V 击穿电压：9V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD5V0X1BL,315-JSM
- 商品编号
- C53114188
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00994克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 120W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 20nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.7pF |
商品特性
- 120瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度tp = 8/20μs）
- 微型DFN1006封装
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 低电容（典型电容Cj = 0.7pF）
- 保护一条数据/电源线
- IEC 61000 - 4 - 2标准下，接触放电±30V，空气放电±30kV
- 1.2/50μs、12欧姆、2kV（千兆以太网物理层侧）
- 10/700μs、40欧姆、4kV（千兆以太网物理层侧）
应用领域
- 10/100/1000以太网
- 集成磁性元件/RJ45连接器
- 局域网/广域网设备
- 笔记本电脑、台式机和服务器
- 便携式仪器