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PMV20ENR-JSM
N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于低电压应用和小尺寸表面贴装封装
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：7.6A 导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V,6A 耗散功率(Pd)：1.2W
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV20ENR-JSM
- 商品编号
- C53114196
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0361克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 414pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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