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PDTC143ZU,115-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PDTC143ZU,115-JSM

NPN 50V 100mA

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描述
集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PDTC143ZU,115-JSM
商品编号
C53114198
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.027267克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)-
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)-
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))1.3V@5mA,0.3V
属性参数值
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@5mA,0.25mA
输入电阻6.11kΩ
电阻比率12
工作温度-
集射极饱和电压(VCE(sat))-
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)-

商品概述

该系列产品由内置偏置电阻的NPN数字晶体管组成，无需外部输入电阻即可配置逆变器电路。偏置电阻采用完全隔离的薄膜电阻，允许输入负偏置，并几乎完全消除寄生效应。该系列简化了器件设计，因为只需设置开关条件即可工作。

商品特性

  • 内置偏置电阻，无需外部输入电阻即可配置逆变器电路
  • 采用完全隔离的薄膜偏置电阻，支持输入负偏置，寄生效应极低
  • 器件设计简单，仅需设置开关条件
  • 宽电源电压范围，最高可达50V
  • 高输入电压范围，从-5V至+30V
  • 低输出电压（导通状态），典型值为0.1V
  • 高直流电流增益，最小值为80
  • 低输入电流和输出漏电流
  • 高过渡频率，达250MHz

应用领域

  • 通用逆变器电路
  • 数字逻辑应用
  • 信号处理电路
  • 低功耗电子设备
  • 消费电子

数据手册PDF

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