PDTD123YT,215-JSM
PDTD123YT,215-JSM
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：500mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：70@50mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTD123YT,215-JSM
- 商品编号
- C53114243
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应
- 操作时只需设置开/关条件，便于器件设计
- 封装形式为SOT - 23
- PESD2CANFD36VT-QR-JSM
- RB521CS30L,315-JSM
- BC846BW-JSM
- BAW56W,115-JSM
- PMEG2005EB,115-JSM
- PMV16XNR-JSM
- PBSS5160T,215-JSM
- PBSS5240T,215-JSM
- PBSS5350X-JSM
- PMEG3020EH,115-JSM
- BZX84-C33,215-JSM
- PDZ10B,115-JSM
- BAS40-04W,115-JSM
- PNE20020ERX-JSM
- BZV55-C3V6,115-JSM
- BC856BW,115-JSM
- TL431BMFDT,215-JSM
- BC847BPN-JSM
- PMEG6002EB,115-JSM
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