PDTD123YT,215-JSM
PDTD123YT,215-JSM
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：500mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：70@50mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTD123YT,215-JSM
- 商品编号
- C53114243
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA | |
| 输入电阻 | 2.86kΩ | |
| 电阻比率 | 5.5 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应
- 操作时只需设置开/关条件，便于器件设计
- 封装形式为SOT - 23
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